Snapdragon 8 Gen 4 tiene problemas de consumo de energía

Primeras filtraciones de la próxima generación

Equipado con núcleos Oryon, en gran parte desarrollados por la adquirida empresa Nuvia, la cual Qualcomm parece querer dejar en el pasado.

A pesar de los impresionantes datos de rendimiento filtrados inicialmente, se vislumbra un desafío considerable en el desarrollo del Snapdragon 8 Gen 4: un problema relacionado con el consumo de energía que está resultando ser una tarea ardua de abordar

Aunque este problema no parece ser generalizado, indicando un margen para mejoras, la incertidumbre persiste: ¿cuál es exactamente la naturaleza del obstáculo que enfrenta Qualcomm en este proceso de desarrollo?

Filtración de problemas con rendimiento energético

Antes de que el Gen 3 haga su debut, ya se está gestando el Gen 4, un desarrollo que ha estado en marcha durante un periodo considerable. Informes previos sugirieron un impresionante aumento de rendimiento de hasta un +40% en comparación con el Snapdragon 8 Gen 3, atribuido en parte a la transición al nodo TSMC N3E.

Sin embargo, surge la pregunta crucial: ¿puede el nodo ser igualmente responsable de los desafíos en el consumo de energía del Snapdragon 8 Gen 4?

Los hechos se dividen en dos vertientes, como es común en medio de los rumores y la especulación. En primer lugar, se centran en los núcleos Nuvia, ahora rebautizados como Oryon, como se mencionó anteriormente.

Mayor eficiencia y rendimiento

¿Por qué surge esta especulación? Principalmente, debido a la ambición de Qualcomm de incursionar en el sector de los servidores mediante la reconfiguración de la licencia de ArmV9.

Se sugiere que los cambios implementados por el fabricante podrían estar afectando negativamente la eficiencia energética, lo cual, como es de esperar, podría reflejarse en los System-on-Chip (SoC).

Ese no parece ser el caso, al menos si nos enfocamos únicamente en el nodo en sí. Para entenderlo mejor, en comparación con el N5, TSMC indica que este N3E es un 18% más veloz con la misma cantidad de energía o un 32% más eficiente con la misma frecuencia.

Mejora sustancial de apenas el 18 %

Además, presenta una densidad lógica un 60% mayor y una densidad general por chip aumentada en un +30%.

Estas cifras son realmente prometedoras para un nodo de bajo consumo que reemplaza al original N3B. Por ende, asumiendo que el consumo se mantiene en línea con el Snapdragon 8 Gen 3 con el N4P, solo podríamos anticipar una mejora de alrededor del 18%.

Sin embargo, la filtración más reciente insinuaba un aumento del 40%, lo que sugiere que ese diferencial del 22% debe ser una combinación de mejoras en el IPC y una frecuencia más elevada, ya que la cantidad de núcleos permanece constante, aunque con una configuración diferente.

Todavía queda camino por delante para el Snapdragon 8 Gen 4

En concreto, el cambio se traduce de una configuración de 2+2+3+1 a una más simplificada de 2+6. Este ajuste facilitará la escalada de frecuencias gracias a un anillo más sencillo, indicando que esos 2 P-Core funcionarán a aproximadamente entre 2,7 GHz y 2,8 GHz, generando así un aumento en el consumo.

En resumen, parece ser más un problema relacionado con la gestión de energía en la arquitectura de los núcleos Oryon de Qualcomm que una complicación añadida por parte de TSMC.

Dado que no disponemos de los valores específicos de consumo ni del incremento porcentual, es difícil llegar a conclusiones definitivas. No obstante, con más de un año por delante, Qualcomm tiene la oportunidad de abordar este desafío y competir con Apple, Intel y AMD en el ámbito de servidores con sus nuevas arquitecturas basadas en E-Cores.

Fuente: pasionmovil.

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